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MOS管N沟道TDM3518封装DFN3.3

更新时间:2019-10-08 09:42:13
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TD:MOS管
TDM3518:DFN3.3*3.3-8
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详细介绍
N沟道增强型MOSFET   TDM3518

描述
该TDM3518采用先进的沟槽技术
提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个
装置是适合用作负载开关或在PWM
应用。
一般特征
lRDS(ON)<3.1mΩ@ VGS = 4.5V
RDS(ON)<1.8MΩ@ VGS =10V
l高功率和电流处理能力
l表面贴装封装
l可提供无铅和绿色器件(符合RoHS标准)
应用
lPWM应用
l负载开关
l电源管理
l动力系统


没有

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